Флэш-память

Флэш-память появилась в 1994 г. Она обладала малой энергоемкостью, небольшими размерами, значительной емкостью и обеспечивала совместимость с персональными компьютерами.

Флэш-память появилась в 1994 г

Флэш-память представляет собой микросхему перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства (ППЗУ) с неограниченным числом циклов перезаписи. Флэш-память использует новый принцип записи и считывания, отличный от того, который используется в известных схемах ППЗУ. Кристалл схемы флэш-памяти состоит из трех слоев. Средний слой, имеющий толщину порядка 1,5 нм, изготовлен из ферроэлектрического материала. Две крайние пластины представляют собой матрицу проводников для подачи напряжения на средний слой. При подаче напряжения, на пересечении проводников, возникает напряжение, достаточное для изменения направления магнитного момента атомов его кристаллической решетки, расположенной под местом пересечения проводников. Направление магнитного поля сохраняется и после снятия внешнего электрического поля. Изменение направления магнитного поля ферроэлектрика изменяет сопротивления этого участка слоя. При считывании, на один крайний слой подается напряжение, а на втором слое замеряется напряжение, прошедшее через ферроэлектрик, которое будет иметь разное значение для участков с разным направлением магнитного момента. Такая флэш-память получила название FRAM (ферроэлектрическая память с произвольным доступом).

Конструктивно флэш-память выполняется в виде отдельного блока, содержащего флэш-память в виде микросхемы и контроллер, для подключения к одному из стандартных входов компьютера. Флэш-память имеет разные размеры и конструктивное оформление. В настоящее время в флэш-память можно записать несколько десятков Гбайт, скорость записи и считывания составляют десятки Мбайт/с.

Инструменты